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7nm追赶台积电3nm Intel的CPU工艺终归还是老大

快科技 宪瑞 2020-04-23 16:25:08

2019年Intel超越三星,夺回了全球半导体市场的一哥地位,过去27年以来Intel在这个榜单上把持了25年之久。再下一步,Intel还要在半导体技术上追上来,其7nm工艺晶体管密度就接近台积电3nm工艺了,5nm节点反超几乎是板上钉钉了。

在半导体工艺节点的命名上,台积电、三星两家从16/14nm节点就有点跑偏了,没有严格按照ITRS协会的定义来走了,将节点命名变成了儿戏,Intel在这点上倒是很老实,所以吃亏不少,实际上他们的10nm节点晶体管密度就有1亿/mm2,比三星、台积电的7nm还要高一点。

在10nm走上正轨之后,Intel宣布他们的半导体工艺发展将回到2年一个周期的路线上来,2021年就会量产7nm工艺,首发高性能的Xe架构GPU,2022年会扩展到更多的CPU等产品中。

台积电上周正式公布了3nm工艺的细节,该工艺晶体管密度达到了2.5亿/mm2,预计在2021年进入风险试产阶段,2022年下半年量产。

那Intel 7nm及以下工艺的水平如何呢?现在还没公布官方细节,不过Intel从22nm工艺到14nm是2.4x缩放,14nm到10nm是2.7x缩放,都超过了摩尔定律的2x工艺缩放水平。

Intel CEO司睿博之前提到过7nm工艺会会到正常缩放,那至少是2x到2.4x缩放,意味着7nm工艺的晶体管密度将达到2亿/mm2到2.4亿/mm2之间。

这样看来,如果是2.4亿/mm2的水平,那Intel的7nm工艺就能达到台积电3nm工艺的水平,保守一点2亿/mm2的话,那也非常接近了。

别忘了,7nm之后Intel还会进入5nm节点,时间点会在2023年,按照Intel的水平,至少也是2x缩放,那晶体管密度至少会达到4亿/mm2,远远超过台积电的3nm工艺水平,台积电的2nm工艺在2023年之前应该没戏的。

目前的计算还是理论性的,但是只要Intel的工艺路线重回正轨,先进工艺上追回来并不让人意外,台积电、三星并不能小觑半导体一哥的技术实力。

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