台积电2nm进展神速 或采用环绕栅极晶体管技术
近日，在苹果发布搭载了台积电5nm工艺A14处理器的新款iPad Air后，台积电再次成为了业界的焦点。根据外媒报道，在5nm工艺秀肌肉后，台积电下一步将重点研发更先进的3nm和2nm工艺。
在上个月举行的台积电技术论坛上，台积电公布了5nm、4nm、3nm工艺的进展，他们表示3nm工艺的研发正在按计划推进，仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET)。不过近日，比3nm更为先进的2nm工艺也逐渐浮出水面。
根据产业链消息人士透露，台积电目前2nm工艺进展神速，甚至超过了预期，并且2nm不会继续采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET)，而会采用环绕栅极晶体管技术(GAA)。
同样在上个月的技术论坛上，台积电高级副总裁Kevin Zhang在预先录制的一段视频中表示，新的台湾研发中心将运营一条先进生产线，将投入8000名工程师，攻克2nm工艺的技术难关。
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