据爆料,三星将于6月30日开始量产3nm半导体
6月29日讯,据BusinessKorea报道,三星电子将于6月30日开始批量生产基于全环绕栅极(GAA)技术的3纳米半导体。
报道称,三星电子将于6月30日正式宣布大规模生产基于GAA的3纳米半导体,GAA晶体管结构优于目前的FinFET结构,因为它可以减少芯片尺寸和功耗。
如果消息属实的话,那么三星电子将抢先台积电和英特尔量产3纳米芯片,后两家公司分别计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产3纳米芯片。
据了解,在竞争激烈的3nm制程工艺方面,三星电子和台积电的技术路线并不相同,三星电子率先采用全环绕栅极(GAA)晶体管,台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管(FinFET)架构。三星电子此前曾表示,采用全环绕栅极晶体管技术的3nm制程工艺,同当前的鳍式场效应晶体管架构相比,性能将提升30%,能耗降低50%,逻辑面积效率提升超过45%。
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